Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 360 A, canale N, SimBus F
- Codice RS:
- 124-0710
- Codice costruttore:
- MIXA225PF1200TSF
- Costruttore:
- IXYS
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Unità | Per unità |
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- Codice RS:
- 124-0710
- Codice costruttore:
- MIXA225PF1200TSF
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continuativa collettore | 360 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1100 W. | |
| Configurazione | Dual | |
| Tipo di package | SimBus F | |
| Tipo di montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 11 | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Dimensioni | 152 x 62 x 17mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continuativa collettore 360 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 1100 W. | ||
Configurazione Dual | ||
Tipo di package SimBus F | ||
Tipo di montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 11 | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Dimensioni 152 x 62 x 17mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Moduli IGBT, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.