Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 360 A, canale Tipo N, SimBus F, 11 Pin Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
168-4565
Codice costruttore:
MIXA225PF1200TSF
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

360A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

1100W

Tipo di package

SimBus F

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

11

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

-40°C

Lunghezza

152mm

Altezza

17mm

Serie

MIXA225PF1200TSF

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

Moduli IGBT, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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