Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 360 A, canale Tipo N, SimBus F, 11 Pin Montaggio su circuito stampato

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 scatola da 3 unità*

381,621 €

(IVA esclusa)

465,579 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Scatola*
3 +127,207 €381,62 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4565
Codice costruttore:
MIXA225PF1200TSF
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

360A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

1100W

Tipo di package

SimBus F

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

11

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.8V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

MIXA225PF1200TSF

Lunghezza

152mm

Altezza

17mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

Moduli IGBT, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.