IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale Tipo N, TO-264, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 tubo da 25 unità*

396,45 €

(IVA esclusa)

483,675 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 275 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
25 +15,858 €396,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4588
Codice costruttore:
IXXK110N65B4H1
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

570A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

880W

Tipo di package

TO-264

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

30kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

Trench

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

3mJ

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.