IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264
- Codice RS:
- 168-4588
- Codice costruttore:
- IXXK110N65B4H1
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 25 unità*
396,45 €
(IVA esclusa)
483,675 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 15,858 € | 396,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4588
- Codice costruttore:
- IXXK110N65B4H1
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continuativa collettore | 570 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 880 W | |
| Tipo di package | TO-264 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 10 → 30kHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 20.3 x 5.3 x 26.6mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 3mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continuativa collettore 570 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 880 W | ||
Tipo di package TO-264 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 10 → 30kHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 20.3 x 5.3 x 26.6mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Classe di efficienza energetica 3mJ | ||
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.