IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

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Codice RS:
125-8051
Codice costruttore:
IXXK110N65B4H1
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continuativa collettore

570 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

880 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-264

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

10 → 30kHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Classe di efficienza energetica

3mJ

Massima temperatura operativa

+175 °C

IGBT Discreti, IXYS



IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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