IGBT IXYS IXXK100N60C3H1, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
125-8050
Codice Distrelec:
302-53-438
Codice costruttore:
IXXK100N60C3H1
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

695W

Tipo di package

TO-264

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

60kHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

Planar

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

600mJ

Paese di origine:
PH

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.