IGBT IXYS IXXK100N60C3H1, VCE 600 V, IC 100 A, canale Tipo N, TO-264, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
125-8050
Codice Distrelec:
302-53-438
Codice costruttore:
IXXK100N60C3H1
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

695W

Tipo di package

TO-264

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

60kHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

Planar

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

600mJ

Paese di origine:
PH

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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