IGBT IXYS IXGP20N120B3, VCE 1.2 kV, IC 80 A, canale N, TO-220, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
146-1730
Codice costruttore:
IXGP20N120B3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore (Vceo)

1.2 kV

Corrente massima continua collettore (Ic)

80 A

Tipo di canale

N

Tipo di package

TO-220

Numero pin

3

Tipo montaggio

Foro passante

Tensione emettitore gate massima (VGEO)

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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