IGBT ad alta velocità IXYS IXYP20N120C3, VCE 1200 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
808-0243
Codice costruttore:
IXYP20N120C3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT ad alta velocità

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

50kHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

4V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

GenX3TM IGBTs

Standard/Approvazioni

International Standard Packages

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, serie IXYS XPT


La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.

Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione

Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva

Capacità di corto circuito per 10 μsec

Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo

Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™

Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario

IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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