IGBT ad alta velocità IXYS, VCE 1200 V, IC 100 A, canale Tipo N, PLUS247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
168-4771
Codice costruttore:
IXYX100N120C3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT ad alta velocità

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

1150W

Tipo di package

PLUS247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

50kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

3.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

1200V XPTTM IGBTs GenX3TM

Standard/Approvazioni

International Standard Packages

Lunghezza

20.32mm

Larghezza

15.75 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

IGBT discreti, serie IXYS XPT


La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.

Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione

Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva

Capacità di corto circuito per 10 μsec

Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo

Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™

Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario

IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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