IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 188 A, canale N, PLUS247

La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.

Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione
Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva
Capacità di corto circuito per 10 μsec
Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo
Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™
Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario

IGBT discreti e modulari, IXYS

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.