IGBT singolo IXYS IXA70I1200NA, VCE 1200 V, IC 100 A, canale Tipo N, SOT-227B, 4 Pin Foro passante

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Codice RS:
168-4763
Codice costruttore:
IXA70I1200NA
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT singolo

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

350W

Tipo di package

SOT-227B

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

70ns

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.8V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747

Serie

Planar

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

IGBT discreti, serie IXYS XPT


La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.

Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione

Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva

Capacità di corto circuito per 10 μsec

Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo

Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™

Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario

IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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