IGBT singolo IXYS, VCE 1200 V, IC 100 A, canale Tipo N, SOT-227B, 4 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 804-7625
- Codice Distrelec:
- 302-53-267
- Codice costruttore:
- IXA70I1200NA
- Costruttore:
- IXYS
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 804-7625
- Codice Distrelec:
- 302-53-267
- Codice costruttore:
- IXA70I1200NA
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100A | |
| Tipo prodotto | IGBT singolo | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 350W | |
| Tipo di package | SOT-227B | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 4 | |
| Velocità di commutazione | 70ns | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | Planar | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100A | ||
Tipo prodotto IGBT singolo | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 350W | ||
Tipo di package SOT-227B | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 4 | ||
Velocità di commutazione 70ns | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie Planar | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT discreti, serie IXYS XPT
La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.
Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione
Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva
Capacità di corto circuito per 10 μsec
Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo
Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™
Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.