IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO247-3-STD-NN4.8

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Codice RS:
285-011
Codice costruttore:
IKWH50N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

249 W

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è un sofisticato IGBT ad alta velocità progettato per fornire prestazioni impressionanti nelle applicazioni più esigenti. Utilizzando l'avanzata tecnologia trench stop, questo dispositivo da 650 V offre perdite di commutazione significativamente ridotte e una tensione di saturazione dell'emettitore del collettore estremamente bassa. Il suo design robusto garantisce un'affidabilità eccezionale, rendendolo la scelta ideale per i sistemi ad alta efficienza energetica, come gli UPS industriali e le soluzioni di ricarica dei veicoli elettrici. Grazie alle eccellenti caratteristiche di gestione termica e alla conformità ai severi standard JEDEC, questo dispositivo si distingue per la sua versatilità e durata in varie applicazioni.

Le basse perdite di commutazione migliorano l'efficienza
Resistenza all'umidità per un funzionamento affidabile
Ottimizzato per topologie a due e tre livelli
Il diodo di recupero morbido e veloce migliora le prestazioni
Convalidato secondo gli standard industriali di affidabilità
Spettro completo dei prodotti e modelli PSpice
Elevata corrente di collettore per applicazioni complesse

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