IGBT Infineon IKWH50N65EH7XKSA1, VCE 650 V, canale Tipo N, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-013
Codice costruttore:
IKWH50N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

249W

Tipo di package

PG-TO-247-3-STD-NN4,8

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

20.1mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon è un sofisticato IGBT ad alta velocità progettato per fornire prestazioni impressionanti nelle applicazioni più esigenti. Utilizzando la tecnologia avanzata di arresto a trincea, questo dispositivo da 650 V offre perdite di commutazione notevolmente ridotte e una tensione di saturazione dell'emettitore del collettore estremamente bassa. Il suo robusto design garantisce un'eccezionale affidabilità, il che lo rende una scelta ideale per i sistemi ad alta efficienza energetica, come gli UPS industriali e le soluzioni di ricarica dei veicoli elettrici. Grazie alle eccellenti caratteristiche di gestione termica e alla conformità ai severi standard JEDEC, questo dispositivo si distingue per la sua versatilità e durata in varie applicazioni.

Le basse perdite di commutazione migliorano l'efficienza

Resistenza all'umidità per un funzionamento affidabile

Ottimizzato per topologie a due e tre livelli

Il diodo di recupero morbido e veloce migliora le prestazioni

Convalidato secondo gli standard industriali di affidabilità

Spettro completo dei prodotti e modelli PSpice

Elevata corrente di collettore per applicazioni complesse

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