IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 160 A, canale N, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

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Codice RS:
285-017
Codice costruttore:
IKY120N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

498 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

4

L'IGBT Infineon è un esempio di tecnologia all'avanguardia grazie alle sue caratteristiche di IGBT7 con arresto in trincea a 650 V, progettato per garantire un'elevata efficienza e perdite di commutazione minime. Questo dispositivo è stato progettato per garantire prestazioni robuste in una serie di applicazioni, tra cui i sistemi UPS industriali e la ricarica dei veicoli elettrici. La sua struttura unica garantisce una bassa tensione di saturazione del collettore emettitore, facilitando un comportamento di commutazione regolare e mantenendo l'affidabilità in condizioni difficili.

Il funzionamento ad alta velocità migliora la reattività del sistema
Le basse perdite di commutazione migliorano l'efficienza energetica
La resistenza all'umidità garantisce prestazioni affidabili
Ottimizzato per le applicazioni di commutazione dura per una maggiore versatilità
La gamma completa di prodotti si adatta alle diverse esigenze
Il diodo di recupero morbido riduce al minimo lo stress elettrico

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