IGBT Infineon FF1600R12IP7BOSA1, VCE 1200 V, IC 1600 A Mezzo ponte, canale Tipo N, PrimePACKTM2 Morsetto a vite
- Codice RS:
- 349-361
- Codice costruttore:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 349-361
- Codice costruttore:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 1600A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Numero transistor | 2 | |
| Configurazione | Mezzo ponte | |
| Tipo di package | PrimePACKTM2 | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 36.5mm | |
| Lunghezza | 89mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 1600A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Numero transistor 2 | ||
Configurazione Mezzo ponte | ||
Tipo di package PrimePACKTM2 | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 36.5mm | ||
Lunghezza 89mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo a doppio IGBT PrimePACK 2 Infineon da 1200 V e 1600 A con IGBT7 TRENCHSTOP e diodo 7 controllato dall'emettitore è progettato per applicazioni ad alta potenza e offre prestazioni eccezionali in un pacchetto compatto e robusto. Il dispositivo offre la massima densità di potenza, ottimizzando lo spazio e mantenendo un'eccezionale capacità di gestione della potenza. Il modulo è caratterizzato dalla migliore VCEsat della categoria, che garantisce una bassa tensione di saturazione per una maggiore efficienza e una riduzione delle perdite di energia.
Aumento della densità di potenza
Minore sforzo di raffreddamento a parità di potenza di uscita
Corrente di uscita dell'inverter più elevata
La soluzione consente di evitare il parallelismo dei moduli IGBT
Alloggiamento standardizzato
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