IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 2,4 kA, canale N
- Codice RS:
- 349-362
- Codice costruttore:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
1305,34 €
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-362
- Codice costruttore:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 2,4 kA | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Configurazione | Half Bridge | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 2,4 kA | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Numero di transistor 2 | ||
Configurazione Half Bridge | ||
Tipo di montaggio Montaggio a vite | ||
Tipo di canale N | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo a doppio IGBT PrimePACK 3+ Infineon con IGBT7 TRENCHSTOP, diodo 7 controllato dall'emettitore ed NTC è progettato per applicazioni ad altissima potenza, con prestazioni ed efficienza superiori. Il dispositivo offre la massima densità di potenza, ottimizzando lo spazio e la gestione della potenza per gli usi industriali più impegnativi. Il modulo è caratterizzato dalla migliore VCEsat della categoria, che offre una bassa tensione di saturazione per massimizzare l'efficienza e ridurre al minimo le perdite di energia.
Aumento della densità di potenza
Minore sforzo di raffreddamento a parità di potenza di uscita
L'alta densità di potenza consente il salto di frame
La soluzione consente di evitare il parallelismo dei moduli IGBT
Alloggiamento standardizzato
Minore sforzo di raffreddamento a parità di potenza di uscita
L'alta densità di potenza consente il salto di frame
La soluzione consente di evitare il parallelismo dei moduli IGBT
Alloggiamento standardizzato
