IGBT Starpower, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, Modulo PIM
- Codice RS:
- 427-803
- Codice costruttore:
- GD30PJX65L2S
- Costruttore:
- Starpower
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- Codice RS:
- 427-803
- Codice costruttore:
- GD30PJX65L2S
- Costruttore:
- Starpower
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Starpower | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Dissipazione di potenza massima | 163 W | |
| Configurazione | Ponte trifase | |
| Tipo di package | Modulo PIM | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Starpower | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 7 | ||
Dissipazione di potenza massima 163 W | ||
Configurazione Ponte trifase | ||
Tipo di package Modulo PIM | ||
Tipo di montaggio Montaggio a vite | ||
Tipo di canale N | ||
- Paese di origine:
- CN
Il modulo di alimentazione Starpower IGBT fornisce una perdita di conduzione estremamente bassa e una robustezza dei cortocircuiti. Sono progettati per applicazioni quali inverter generici e UPS.
VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima della giunzione di 175 °C
Custodia a bassa induttanza
Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Temperatura massima della giunzione di 175 °C
Custodia a bassa induttanza
Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC