IGBT Starpower, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo
- Codice RS:
- 427-823
- Codice costruttore:
- GD200TLQ120L3S
- Costruttore:
- Starpower
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- Codice RS:
- 427-823
- Codice costruttore:
- GD200TLQ120L3S
- Costruttore:
- Starpower
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Starpower | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 666 W | |
| Numero di transistor | 4 | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Configurazione | Quad | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Starpower | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 666 W | ||
Numero di transistor 4 | ||
Tipo di package Modulo | ||
Configurazione Quad | ||
Tipo di montaggio Montaggio a vite | ||
Tipo di canale N | ||
- Paese di origine:
- CN
Il modulo di alimentazione Starpower IGBT fornisce una perdita di conduzione estremamente bassa e una robustezza dei cortocircuiti. Sono progettati per le applicazioni come l'applicazione a 3 livelli.
VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima della giunzione di 175 °C
Custodia a bassa induttanza
Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Temperatura massima della giunzione di 175 °C
Custodia a bassa induttanza
Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC