IGBT Infineon IKW75N65EL5XKSA1, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7176
Codice costruttore:
IKW75N65EL5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

536W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.35V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

16.13mm

Altezza

5.21mm

Serie

TrenchStop

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

7.22mJ

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V

• VCEsat molto bassa

• Poche perdite di spegnimento

• Bassa corrente di coda

• EMI ridotte

• Temperatura di giunzione massima: 175 °C

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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