Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 105 A, canale N, AG-ECONO3-3

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Codice RS:
111-6095
Codice costruttore:
FP75R12KE3BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

105 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

355 W

Configurazione

Ponte trifase

Tipo di package

AG-ECONO3-3

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Trifase

Dimensioni

122 x 62 x 17mm

Massima temperatura operativa

+125 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Non applicabile

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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