IGBT Infineon FF50R12RT4HOSA1, VCE 1200 V, IC 50 A Duale, AG-34MM Telaio

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-8888
Codice costruttore:
FF50R12RT4HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

285W

Numero transistor

2

Tipo di package

AG-34MM

Configurazione

Duale

Tipo montaggio

Telaio

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT doppio Infineon è costituito da 34 mm 1200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rapido e 4 diodi controllati dall'emettitore. VCEsat con coefficiente di temperatura positivo, offre flessibilità, prestazioni elettriche ottimali e la massima affidabilità.

Temperatura d'esercizio estesa

Basse perdite di commutazione

VCEsat basso

Piastra di base isolata

Contenitore standard

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