IGBT Infineon FF600R12IE4BOSA1, VCE 1200 V, IC 600 A Duale, AG-PRIME2 Telaio

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-8890
Codice costruttore:
FF600R12IE4BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

600A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.35kW

Numero transistor

2

Configurazione

Duale

Tipo di package

AG-PRIME2

Tipo montaggio

Telaio

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT doppio half-bridge Infineon PrimePACK 2 da 1200 V, 600 A con TRENCHSTOP IGBT4, 4 diodi controllati da emettitore, NTC e chip a commutazione rapida. Elevata capacità di cortocircuito, corrente di cortocircuito autolimitante, VCEsat con coefficiente di temperatura positivo.

Temperatura d'esercizio estesa

Elevata stabilità c.c.

Elevata densità di potenza

Contenitore standardizzato

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