IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-PRIME2
- Codice RS:
- 260-8890
- Codice costruttore:
- FF600R12IE4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 260-8890
- Codice costruttore:
- FF600R12IE4BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 600 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 3,35 kW | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Tipo di package | AG-PRIME2 | |
| Configurazione | Dual | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a telaio | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 600 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 3,35 kW | ||
Numero di transistor 2 | ||
Tipo di package AG-PRIME2 | ||
Configurazione Dual | ||
Tipo di montaggio Montaggio a telaio | ||
Il modulo IGBT doppio half-bridge Infineon PrimePACK 2 da 1200 V, 600 A con TRENCHSTOP IGBT4, 4 diodi controllati da emettitore, NTC e chip a commutazione rapida. Elevata capacità di cortocircuito, corrente di cortocircuito autolimitante, VCEsat con coefficiente di temperatura positivo.
Temperatura d'esercizio estesa
Elevata stabilità c.c.
Elevata densità di potenza
Contenitore standardizzato
Elevata stabilità c.c.
Elevata densità di potenza
Contenitore standardizzato