IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM
- Codice RS:
- 260-8887
- Codice costruttore:
- FF50R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Aggiunto
Prezzo per Unità
86,582 €
(IVA esclusa)
105,63 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Vassoio* |
| 10 - 40 | 86,582 € | 865,82 € |
| 50 + | 84,861 € | 848,61 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 260-8887
- Codice costruttore:
- FF50R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il modulo IGBT doppio Infineon è costituito da 34 mm 1200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rapido e 4 diodi controllati dall'emettitore. VCEsat con coefficiente di temperatura positivo, offre flessibilità, prestazioni elettriche ottimali e la massima affidabilità.
Temperatura d'esercizio estesa
Basse perdite di commutazione
VCEsat basso
Piastra di base isolata
Contenitore standard
Basse perdite di commutazione
VCEsat basso
Piastra di base isolata
Contenitore standard
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Dissipazione di potenza massima | 285 W |
| Numero di transistor | 2 |
| Configurazione | Dual |
| Tipo di package | AG-34MM |
| Tipo di montaggio | Montaggio a telaio |