IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM
- Codice RS:
- 260-8887
- Codice costruttore:
- FF50R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 78,455 € | 784,55 € |
| 50 + | 76,895 € | 768,95 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-8887
- Codice costruttore:
- FF50R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima | 285 W | |
| Configurazione | Dual | |
| Tipo di package | AG-34MM | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a telaio | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 50 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 2 | ||
Dissipazione di potenza massima 285 W | ||
Configurazione Dual | ||
Tipo di package AG-34MM | ||
Tipo di montaggio Montaggio a telaio | ||
Il modulo IGBT doppio Infineon è costituito da 34 mm 1200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rapido e 4 diodi controllati dall'emettitore. VCEsat con coefficiente di temperatura positivo, offre flessibilità, prestazioni elettriche ottimali e la massima affidabilità.
Temperatura d'esercizio estesa
Basse perdite di commutazione
VCEsat basso
Piastra di base isolata
Contenitore standard
Basse perdite di commutazione
VCEsat basso
Piastra di base isolata
Contenitore standard