IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM

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Codice RS:
260-8887
Codice costruttore:
FF50R12RT4HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

2

Dissipazione di potenza massima

285 W

Configurazione

Dual

Tipo di package

AG-34MM

Tipo di montaggio

Montaggio a telaio

Il modulo IGBT doppio Infineon è costituito da 34 mm 1200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rapido e 4 diodi controllati dall'emettitore. VCEsat con coefficiente di temperatura positivo, offre flessibilità, prestazioni elettriche ottimali e la massima affidabilità.

Temperatura d'esercizio estesa
Basse perdite di commutazione
VCEsat basso
Piastra di base isolata
Contenitore standard

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