Modulo IGBT Infineon FF100R12RT4HOSA1, VCE 1200 V, IC 100 A, canale Tipo N, AG-34MM-1 Morsetto

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Codice RS:
111-6088
Codice Distrelec:
302-83-938
Codice costruttore:
FF100R12RT4HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

555W

Tipo di package

AG-34MM-1

Tipo montaggio

Morsetto

Tipo di canale

Tipo N

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

30.2mm

Lunghezza

94mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.

Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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