Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, AG-34MM-1

Questo modulo IGBT è progettato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza, combinando efficacemente due transistor in configurazione serie. Funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -40°C e +150°C. Con un pacchetto compatto di 94 x 34 x 30,2 mm, questo modulo è ideale per l'integrazione in vari sistemi industriali.

• La massima corrente continua del collettore, pari a 150 A, garantisce prestazioni affidabili
• La tensione collettore-emettitore supporta fino a 1200V per un uso robusto
• Le basse perdite di commutazione migliorano l'efficienza energetica complessiva
• La piastra di base isolata migliora la gestione termica e l'affidabilità
• Il tipo di confezione AG-34MM-1 semplifica l'installazione nelle configurazioni a pannello

• Adatto per gli azionamenti dei motori nei sistemi di automazione
• Utilizzato nei gruppi di continuità per una maggiore affidabilità
• Efficace nella commutazione ad alta frequenza tra i settori industriali
• Utile nei convertitori elettronici di potenza per un funzionamento senza interruzioni
• Funziona bene in combinazione con i framework di automazione industriale

Il modulo presenta una resistenza termica dalla giunzione all'involucro di 0,19 K/W, essenziale per mantenere l'efficienza operativa. Supporta inoltre cicli di alimentazione estesi, con una specifica di 300.000 cicli a una temperatura di giunzione di 125°C e un differenziale di temperatura di 50K.

Funziona efficacemente a una temperatura di giunzione massima di 150°C, garantendo la durata nelle applicazioni più impegnative e mantenendo una bassa VCEsat, ulteriormente migliorata da un coefficiente di temperatura positivo per prestazioni stabili.

Questo modulo IGBT presenta una carica di gate di 1,25μC, che consente tempi di commutazione rapidi, facilitando le operazioni ad alta frequenza essenziali nelle moderne applicazioni industriali. Supporta inoltre tensioni di gate-emitter di ±20V per un condizionamento flessibile degli azionamenti.

Sì, le sue specifiche robuste e la sua affidabilità ne fanno un'opzione valida per l'elettronica di potenza nei sistemi automobilistici, dove l'alta efficienza e l'affidabilità sono fondamentali.

IGBT discreti e moduli, Infineon

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.