- Codice RS:
- 111-6082
- Codice costruttore:
- FF150R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per Unità
74,75 €
(IVA esclusa)
91,19 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 + | 74,75 € |
- Codice RS:
- 111-6082
- Codice costruttore:
- FF150R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Moduli IGBT, Infineon
La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 150 A |
Tensione massima collettore emitter | 1200 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Dissipazione di potenza massima | 790 W |
Tipo di package | AG-34MM-1 |
Configurazione | Serie |
Tipo di montaggio | Montaggio a pannello |
Tipo di canale | N |
Configurazione transistor | Serie |
Dimensioni | 94 x 34 x 30.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
- Codice RS:
- 111-6082
- Codice costruttore:
- FF150R12RT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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