Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 1,1 kA, canale N, SEMiX®3p

Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pressione senza saldatura per consentire il montaggio diretto di uno stadio pilota sopra il modulo, risparmiando spazio e garantendo una maggiore affidabilità della connessione. Le applicazioni tipiche includono: comandi per inverter c.a., UPS, sistemi di saldatura elettronica e a energia rinnovabile.
Per i moduli stadio pilota a pressione idonei vedere i codici da 122-0385 a 122-0387

• Contenitore di montaggio a profilo basso senza saldatura
• IGBT con tecnologia trench gate
• VCE(sat) ha coefficiente di temperatura positivo
• Elevata capacità di corrente di cortocircuito
• Piedini a pressione come contatti ausiliari
• Riconoscimento UL

Moduli IGBT, Semikron

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.