Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, Modulo 62MM

Prezzo per 1 scatola da 10 unità*

1199,34 €

(IVA esclusa)

1463,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Scatola*
10 +119,934 €1.199,34 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
124-8818
Codice costruttore:
FF300R12KE4HOSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

300 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

1600 W

Configurazione

Serie

Tipo di package

Modulo 62MM

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

7

Configurazione transistor

Serie

Dimensioni

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

Paese di origine:
MY

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati