IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 8 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
145-8706
Codice costruttore:
IKW08T120FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

8A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

20kHz

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC1

Serie

TrenchStop

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

2.28mJ

Paese di origine:
CN

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V

• VCEsat molto bassa

• Poche perdite di spegnimento

• Bassa corrente di coda

• EMI ridotte

• Temperatura di giunzione massima: 175 °C

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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