IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 16 A, canale N, TO-247

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Codice RS:
145-8706
Codice costruttore:
IKW08T120FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

16 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

20kHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Capacità del gate

600pF

Minima temperatura operativa

-40 °C

Classe di efficienza energetica

2.28mJ

Paese di origine:
CN

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C


IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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