Modulo IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 320 A, canale Tipo N, SOT-227, 4 Pin Superficie

Prezzo per 1 tubo da 10 unità*

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Codice RS:
168-4582
Codice costruttore:
IXGN320N60A3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Corrente massima continua collettore Ic

320A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

735W

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

5kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.23mm

Serie

Low-Frequency

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

IGBT Discreti, IXYS


IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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