Modulo IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 320 A, canale N, SOT-227B
- Codice RS:
- 168-4582
- Codice costruttore:
- IXGN320N60A3
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 10 unità*
363,51 €
(IVA esclusa)
443,48 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 10 + | 36,351 € | 363,51 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4582
- Codice costruttore:
- IXGN320N60A3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continuativa collettore | 320 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 735 W | |
| Tipo di package | SOT-227B | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 4 | |
| Velocità di switching | 5kHz | |
| Configurazione transistor | Emettitore comune | |
| Dimensioni | 38.23 x 25.07 x 9.6mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continuativa collettore 320 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 735 W | ||
Tipo di package SOT-227B | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 4 | ||
Velocità di switching 5kHz | ||
Configurazione transistor Emettitore comune | ||
Dimensioni 38.23 x 25.07 x 9.6mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.