Codice costruttore

Modulo IGBT IXYS IXGN320N60A3, VCE 600 V, IC 320 A, canale Tipo N, SOT-227, 4 Pin Superficie

Codice RS:: 125-8046
Codice Distrelec:: 302-53-418
Codice costruttore:: IXGN320N60A3
Costruttore:: IXYS

Modulo IGBT IXYS IXGN320N60A3, VCE 600 V, IC 320 A, canale Tipo N, SOT-227, 4 Pin Superficie

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Codice RS:: 125-8046
Codice Distrelec:: 302-53-418
Codice costruttore:: IXGN320N60A3
Costruttore:: IXYS

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	IXYS
	Corrente massima continua collettore Ic	320A
	Tipo prodotto	Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	600V
	Dissipazione di potenza massima Pd	735W
	Tipo di package	SOT-227
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di canale	Tipo N
	Numero pin	4
	Velocità di commutazione	5kHz
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Serie	Low-Frequency
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	38.23mm
	Altezza	9.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio IXYS
	Corrente massima continua collettore Ic 320A
	Tipo prodotto Modulo IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V
	Dissipazione di potenza massima Pd 735W
	Tipo di package SOT-227
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di canale Tipo N
	Numero pin 4
	Velocità di commutazione 5kHz
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Serie Low-Frequency
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 38.23mm
	Altezza 9.6mm
	Standard automobilistico No

IGBT Discreti, IXYS

IGBT discreti e modulari, IXYS

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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