IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 168-7003
- Codice costruttore:
- STGW30V60F
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,25 € | 67,50 € |
| 60 - 120 | 2,156 € | 64,68 € |
| 150 + | 2,102 € | 63,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-7003
- Codice costruttore:
- STGW30V60F
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 260 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 260 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
- Paese di origine:
- CN
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.