IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 54 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 168-6464
- Codice costruttore:
- STGW20NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 300 in più per risparmiare 39,90 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 30 unità*
75,27 €
(IVA esclusa)
91,83 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 210 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* | Risparmio |
|---|---|---|---|
| 30 - 270 | 2,509 € | 75,27 € | - |
| 300 - 720 | 2,376 € | 71,28 € | 39,90 € |
| 750 + | 2,253 € | 67,59 € | 192,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-6464
- Codice costruttore:
- STGW20NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 54A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 70ns | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.7V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Serie | SMPS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 54A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 70ns | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.7V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Altezza 20.15mm | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Serie SMPS | ||
Standard automobilistico No | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics STGW20NC60VD IC 54 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Bourns IC 30 A, TO-247
- IGBT Bourns IC 40 A, TO-247
- IGBT Bourns BIDNW30N60H3 IC 30 A, TO-247
- IGBT Bourns BIDW20N60T IC 40 A, TO-247
- IGBT STMicroelectronics IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 120 A TO-247, 3 Pin Foro passante