IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

87,72 €

(IVA esclusa)

107,01 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 30 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 602,924 €87,72 €
90 - 4802,848 €85,44 €
510 +2,777 €83,31 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-7094
Codice costruttore:
STGW40H65DFB
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

283W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

H

Altezza

20.15mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati