Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 54 A, canale N, EASY2B
- Codice RS:
- 168-8771
- Codice costruttore:
- FP35R12W2T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-8771
- Codice costruttore:
- FP35R12W2T4B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 54 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 215 W | |
| Tipo di package | EASY2B | |
| Configurazione | Ponte trifase | |
| Tipo di montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 35 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Trifase | |
| Dimensioni | 56.7 x 48 x 12mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 54 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 215 W | ||
Tipo di package EASY2B | ||
Configurazione Ponte trifase | ||
Tipo di montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 35 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Trifase | ||
Dimensioni 56.7 x 48 x 12mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
- Paese di origine:
- CN
Moduli IGBT, Infineon
La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.