Modulo IGBT Infineon FP35R12W2T4B11BOMA1, VCE 1200 V, IC 54 A, canale Tipo N, EASY2B, 35 Pin Morsetto

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Codice RS:
168-8771
Codice costruttore:
FP35R12W2T4B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

54A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

215W

Tipo di package

EASY2B

Tipo montaggio

Morsetto

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

35

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

56.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

12mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.

Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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