Modulo IGBT Infineon FP35R12W2T4BOMA1, VCE 1200 V, IC 54 A, canale Tipo N, AG-EASY2B-1 Morsetto

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 unità*

44,95 €

(IVA esclusa)

54,84 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 4 unità in spedizione dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +44,95 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
111-6098
Codice costruttore:
FP35R12W2T4BOMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

54A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

215W

Tipo di package

AG-EASY2B-1

Tipo montaggio

Morsetto

Tipo di canale

Tipo N

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

56.7mm

Standard/Approvazioni

ULapproved(E83335)

Serie

EasyPIM

Altezza

12mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.

Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati