IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 35 A, canale N, AG-EASY2B

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Codice RS:
222-4799
Codice costruttore:
FP35R12W2T7B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

35 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

20 mW

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Emettitore comune

Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, modulo IGBT PIM (moduli integrati di potenza) con raddrizzatore di ingresso trifase da 35 A con TRENCHSTOP™ IGBT7, diodo emettitore controllato 7, tecnologia dei contatti NTC e Pressfit.

VCEsat basso
TRENCHSTOP™ IGBT7
Funzionamento in sovraccarico fino a 175 °C.
Isolamento 2,5 kV c.a. 1min
Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
Alta densità di potenza
Design compatto
Tecnologia di contatto Pressfit

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