IGBT Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1, VCE 1200 V, IC 35 A, canale Tipo N, AG-EASY2B, 31 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4800
Codice costruttore:
FP35R12W2T7B11BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

35A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Numero transistor

7

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

31

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

FP35R12W2T7-B11

Lunghezza

56.7mm

Altezza

16.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, modulo IGBT PIM (moduli integrati di potenza) con raddrizzatore di ingresso trifase da 35 A con TRENCHSTOP™ IGBT7, diodo emettitore controllato 7, tecnologia dei contatti NTC e Pressfit.

VCEsat basso

TRENCHSTOP™ IGBT7

Funzionamento in sovraccarico fino a 175 °C.

Isolamento 2,5 kV c.a. 1min

Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica

Alta densità di potenza

Design compatto

Tecnologia di contatto Pressfit

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