Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, EASY2B
- Codice RS:
- 218-4357
- Codice costruttore:
- FP50R12KT4PBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 218-4357
- Codice costruttore:
- FP50R12KT4PBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Tipo di package | EASY2B | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 50 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Numero di transistor 7 | ||
Tipo di package EASY2B | ||
Tipo di canale N | ||
Modulo IGBT con ingresso trifase EasyPIM Infineon con tecnologia TRENCHSTOP IGBT4. Ha una tensione del collettore-emettitore di 1200 V e una corrente diretta di 50 A. Viene utilizzato nel controllo di servomotori e motori e azionamenti.
Concetto di modulo compatto
Ottimizzazione dei tempi e dei costi del ciclo di sviluppo del cliente
Elevata affidabilità e densità di potenza
Piastra di base in rame per una diffusione ottimale del calore
Basse perdite di commutazione
Elevata frequenza di commutazione
Flessibilità di configurazione
Ottimizzazione dei tempi e dei costi del ciclo di sviluppo del cliente
Elevata affidabilità e densità di potenza
Piastra di base in rame per una diffusione ottimale del calore
Basse perdite di commutazione
Elevata frequenza di commutazione
Flessibilità di configurazione
