IGBT Vishay SI7121ADN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7866
Codice costruttore:
SI7121ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 25V. Ha una resistenza drain-source di 15mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 27,8 W e corrente di drain continua di 18A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Con l'ausilio di questo MOSFET, è possibile ottenere prestazioni ed efficienza eccellenti a costi inferiori. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni
Contenitore powerpak a bassa resistenza termica • con dimensioni ridotte
• la potenza di dissipazione massima è di 27,8 W.
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -50 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• Mobile computing
• interruttori adattatori
• interruttori di carico - Gestione della batteria
• Computer notebook
• Gestione dell'alimentazione

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato

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