IGBT Vishay SUD08P06-155L-GE3

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Codice RS:
180-7411
Codice costruttore:
SUD08P06-155L-GE3
Costruttore:
Vishay

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-252-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 52mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 20,8 W. Può essere utilizzato in interruttori di carico per dispositivi portatili. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

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