IGBT Vishay SUD08P06-155L-GE3
- Codice RS:
- 180-8117
- Codice costruttore:
- SUD08P06-155L-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,849 € | 16,98 € |
| 100 - 180 | 0,823 € | 16,46 € |
| 200 - 480 | 0,781 € | 15,62 € |
| 500 - 980 | 0,747 € | 14,94 € |
| 1000 + | 0,703 € | 14,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8117
- Codice costruttore:
- SUD08P06-155L-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-252-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 52mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 20,8 W. Può essere utilizzato in interruttori di carico per dispositivi portatili. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
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