IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247

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Codice RS:
214-8785
Codice costruttore:
AFGY100T65SPD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

660 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

on Semiconductor serie AFGY è un IGBT con diodo a recupero rapido morbido che offre perdite di conduzione e commutazione molto basse per un funzionamento ad elevata efficienza in varie applicazioni, elevata affidabilità dei transienti e EMI ridotte.

Distribuzione dei parametri rigida
Elevata impedenza di ingresso
Resistenza ai cortocircuiti
Co−dotato di diodo a recupero rapido morbido

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