IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 214-8781
- Codice costruttore:
- AFGHL75T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
Scorte limitate
A causa di una carenza di approvvigionamento a livello mondiale, non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
- Codice RS:
- 214-8781
- Codice costruttore:
- AFGHL75T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 375 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 375 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
La serie AFGHL on Semiconductor è composta da IGBT che offrono le prestazioni ottimali con perdite di conduzione e commutazione basse per operazioni ad alta efficienza in varie applicazioni, che non richiedono specifiche di recupero inverso.
Capacità di corrente elevata
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida