IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 214-8781
- Codice costruttore:
- AFGHL75T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
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Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 30 unità*
88,26 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,942 € | 88,26 € |
| 60 - 60 | 2,827 € | 84,81 € |
| 90 + | 2,792 € | 83,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8781
- Codice costruttore:
- AFGHL75T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 75A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 75A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie Trench | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La serie AFGHL on Semiconductor è composta da IGBT che offrono le prestazioni ottimali con perdite di conduzione e commutazione basse per operazioni ad alta efficienza in varie applicazioni, che non richiedono specifiche di recupero inverso.
Capacità di corrente elevata
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
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