IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 150 A, TO-247
- Codice RS:
- 181-1889
- Codice costruttore:
- FGH75T65SHDTL4
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 181-1889
- Codice costruttore:
- FGH75T65SHDTL4
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 150 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 455 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 4 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 160mJ | |
| Capacità del gate | 3710pF | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 150 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 455 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 4 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Classe di efficienza energetica 160mJ | ||
Capacità del gate 3710pF | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
- Paese di origine:
- CN
Utilizzando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop di terza generazione di Fairchild offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.
Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 75 A
100% delle parti testate per ILM(1)
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 75 A
100% delle parti testate per ILM(1)
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida