Codice costruttore

IGBT onsemi FGH75T65SHDTL4, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

Codice RS:: 181-1889P
Codice costruttore:: FGH75T65SHDTL4
Costruttore:: onsemi

IGBT onsemi FGH75T65SHDTL4, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

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Codice RS:: 181-1889P
Codice costruttore:: FGH75T65SHDTL4
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Corrente massima continua collettore Ic	75A
	Tipo prodotto	IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	650V
	Dissipazione di potenza massima Pd	455W
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Tipo di canale	Tipo P
	Numero pin	4
	Velocità di commutazione	1MHz
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	1.6V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Serie	Field Stop 3rd generation
	Standard automobilistico	No
	Classificazione energetica	160mJ

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	Marchio onsemi
	Corrente massima continua collettore Ic 75A
	Tipo prodotto IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V
	Dissipazione di potenza massima Pd 455W
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Tipo di canale Tipo P
	Numero pin 4
	Velocità di commutazione 1MHz
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Serie Field Stop 3rd generation
	Standard automobilistico No
	Classificazione energetica 160mJ

Datasheet

Paese di origine:: CN

Utilizzando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop di terza generazione di Fairchild offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.

Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C

Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo

Capacità di corrente elevata

Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 75 A

100% delle parti testate per ILM(1)

Elevata impedenza di ingresso

Commutazione rapida

Distribuzione dei parametri rigida

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