IGBT onsemi FGH75T65SQDNL4, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
181-1929
Codice costruttore:
FGH75T65SQDNL4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.43V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, Halide Free

Serie

Field Stop IV

Classificazione energetica

160mJ

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è dotato di una robusta e conveniente struttura trench Field Stop IV e fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative, offrendo sia bassa tensione in stato attivo che una perdita di commutazione minima. Inoltre, questo nuovo dispositivo è racchiuso in un contenitore TO−247−4L che riduce in modo significativo le perdite Eon rispetto al contenitore TO−247−3L standard. L'IGBT è particolarmente adatto per applicazioni UPS e a energia solare. Nel dispositivo è incorporate un diodo di ricircolo integrato graduale e veloce con una bassa tensione diretta.

Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop

TJmax = 175°C

Controllo di gate migliorato per ridurre le perdite di commutazione

Pin di comando emettitore separato

TO-247-4L per ridurre al minimo le perdite Eon

Tipo ottimizzato per commutazione ad alta velocità

Questi dispositivi sono senza piombo

Inverter fotovoltaico

Inverter continui

Topologia Neutral Point Clamp (NPC)

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