IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

Questo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è dotato di una robusta e conveniente struttura trench Field Stop IV e fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative, offrendo sia bassa tensione in stato attivo che una perdita di commutazione minima. Inoltre, questo nuovo dispositivo è racchiuso in un contenitore TO−247−4L che riduce in modo significativo le perdite Eon rispetto al contenitore TO−247−3L standard. L'IGBT è particolarmente adatto per applicazioni UPS e a energia solare. Nel dispositivo è incorporate un diodo di ricircolo integrato graduale e veloce con una bassa tensione diretta.

Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop
TJmax = 175°C
Controllo di gate migliorato per ridurre le perdite di commutazione
Pin di comando emettitore separato
TO-247-4L per ridurre al minimo le perdite Eon
Tipo ottimizzato per commutazione ad alta velocità
Questi dispositivi sono senza piombo
Inverter fotovoltaico
Inverter continui
Topologia Neutral Point Clamp (NPC)