IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

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Codice RS:
181-1864
Codice costruttore:
FGH75T65SQDNL4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

200 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

375 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

P

Numero pin

4

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Classe di efficienza energetica

160mJ

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Capacità del gate

5100pF

Paese di origine:
CN
Questo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è dotato di una robusta e conveniente struttura trench Field Stop IV e fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative, offrendo sia bassa tensione in stato attivo che una perdita di commutazione minima. Inoltre, questo nuovo dispositivo è racchiuso in un contenitore TO−247−4L che riduce in modo significativo le perdite Eon rispetto al contenitore TO−247−3L standard. L'IGBT è particolarmente adatto per applicazioni UPS e a energia solare. Nel dispositivo è incorporate un diodo di ricircolo integrato graduale e veloce con una bassa tensione diretta.

Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop
TJmax = 175°C
Controllo di gate migliorato per ridurre le perdite di commutazione
Pin di comando emettitore separato
TO-247-4L per ridurre al minimo le perdite Eon
Tipo ottimizzato per commutazione ad alta velocità
Questi dispositivi sono senza piombo
Inverter fotovoltaico
Inverter continui
Topologia Neutral Point Clamp (NPC)

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