IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

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Codice RS:
181-1866
Codice costruttore:
FGH75T65SHDTL4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

150 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

455 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

P

Numero pin

4

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Capacità del gate

3710pF

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

Classe di efficienza energetica

160mJ

Paese di origine:
CN
Utilizzando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop di terza generazione di Fairchild offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.

Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 75 A
100% delle parti testate per ILM(1)
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida

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