IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
181-1866
Codice costruttore:
FGH75T65SHDTL4
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

455W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

Field Stop 3rd generation

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

160mJ

Paese di origine:
CN
Utilizzando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop di terza generazione di Fairchild offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.

Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C

Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo

Capacità di corrente elevata

Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 75 A

100% delle parti testate per ILM(1)

Elevata impedenza di ingresso

Commutazione rapida

Distribuzione dei parametri rigida

Link consigliati