IC a singolo transistor IGBT Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1, VCE 600 V, IC 53 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6661
Codice costruttore:
IKFW60N60DH3EXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

53A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

141W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM Advanced Isolation

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid 1 rapido e soft in un contenitore completamente isolato.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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