IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 53 A, PG-TO247-3-AI
- Codice RS:
- 215-6661
- Codice costruttore:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | 5,71 € | 11,42 € |
| 20 - 48 | 5,39 € | 10,78 € |
| 50 - 98 | 5,01 € | 10,02 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6661
- Codice costruttore:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 53 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 141 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3-AI | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Isolato | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 53 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 141 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3-AI | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Isolato | ||
Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid 1 rapido e soft in un contenitore completamente isolato.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica