IGBT Infineon IGW75N65H5XKSA1, VCE 650 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-4392
Codice costruttore:
IGW75N65H5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

198W

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.21mm

Serie

IGW75N65H5

Standard/Approvazioni

JEDEC, RoHS

Lunghezza

21.1mm

Standard automobilistico

No

La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del dispositivo, fornendo prestazioni senza precedenti in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione difficili. Ha una tensione del collettore-emettitore di 650 V e una corrente del collettore di 120 A.

Maggiore densità di potenza

50V aumento della tensione del bus possibile senza compromettere l'affidabilità

Coefficiente di temperatura positivo moderato

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